原子層沉積技術(shù)（atomic layer deposition, ALD）已經(jīng)逐漸成為了一項沉積功能薄膜的重要技術(shù)。該技術(shù)可以在納米級尺度上精確控制物質(zhì)成分和形貌，它可以將被沉積物質(zhì)以單原子膜的形式一層一層的鍍在基底表面。
原子層沉積的過程是通過連續(xù)的自限制的半反應(yīng)來實現(xiàn)的，在沉積的反應(yīng)過程中反應(yīng)的氣相前驅(qū)體交替通入并在基底表面通過活性官能團(tuán)形成單層化學(xué)吸附并完成反應(yīng)，經(jīng)過這樣的交替循環(huán)的反應(yīng)，薄膜將得到厚度的納米級可控生長。由于具有這些沉積特性，原子層沉積技術(shù)具有沉積大面積均勻薄膜，膜厚納米級可控生長，低溫條件沉積，適合各種復(fù)雜基底（如高深寬比的結(jié)構(gòu)）的優(yōu)異性能。這些獨特的優(yōu)勢使原子層沉積技術(shù)在大規(guī)模集成電路、新型能源、催化劑，儲能材料等方面均有著重要的應(yīng)用前景。
原子層沉積系統(tǒng)的主要特點：
1、我們的ALD系統(tǒng)是可以直接成為thermal ALD+RF plasma coil或者是ECR source，所以它可以簡單使用熱的反應(yīng)源也可以使用等離子體加強(qiáng)反應(yīng)。當(dāng)它在ECR（電子回旋共振）模式的時候，可以變身成為MPCVD（微波等離子體化學(xué)汽相沉積），可以生長金剛石薄膜。
2、專門配備了微波等離子體源，產(chǎn)生連續(xù)電離、振動激發(fā)和碰撞的等離子體。
3、我們可以裝4個前驅(qū)物。樣品最大可以做到8英寸。
4、提供足夠的前驅(qū)體單元，使用復(fù)雜的氣體控制面板將沉積材料引入襯底。沉積室和襯底操縱器提供真空條件和襯底溫度的精確控制，以確保外延沉積過程。
5、因為我們有線性傳輸系統(tǒng)，所以我們的ALD可以被設(shè)計成超高真空式ALD。其工作原理是，先把底壓抽至超高真空，然后工作時把前驅(qū)物放入反應(yīng)腔進(jìn)行反應(yīng)。
6、我們還有另外一個特殊設(shè)計的高溫閥門組，可以使用溫度高達(dá)500攝氏度的前驅(qū)物。最適合想發(fā)明新穎前驅(qū)物的科學(xué)家，可以使用這種高低溫并行的高級系統(tǒng)(此技術(shù)本公司獨有)。
7、利用FBBEAR控制軟件，工藝過程自動化控制，實現(xiàn)了精確控制和高穩(wěn)定性。FBBEAR控制軟件提供完整的數(shù)據(jù)記錄、精確的參數(shù)調(diào)整，使用戶操作簡單，實驗重復(fù)性可靠。
應(yīng)用：
PEALD可用于硅、氧化硅等材料的薄層沉積。