離子束濺射系統(tǒng)與離子銑類似，就是使用氣體原子離子化之后對靶材表面進行轟擊，是半導(dǎo)體工藝中PVD制備辦法里面最重要的一種。主要用于制備光學(xué)薄膜與半導(dǎo)體薄膜等。當我們使用IBE功能的時候，只需要把離子槍裝在樣品的對面，直接轟擊樣品表面，以完成樣品的清潔與刻蝕。當與電子束合在一起的時候稱之為IBAD，即離子輔助鍍膜，可以增加鍍膜材料附著在樣品表面的能量，可制備高品質(zhì)高密度的薄膜。
我們產(chǎn)品的主要特點：
1、可以沉積具有極高質(zhì)量和極高重復(fù)性的大規(guī)模薄膜
2、利用離子源產(chǎn)生指向待濺射目標的聚焦離子束。由于目標材料是通過動量傳遞而不是化學(xué)或熱過程燒蝕的，所以任何材料都可以沉積在襯底上（無論是導(dǎo)電的，還是絕緣的）
3、靶材夾持器被設(shè)計成具有多個面，允許通過旋轉(zhuǎn)來沉積不同的目標材料
4、如果配置離子束輔助濺射源，則實現(xiàn)襯底材料與沉積膜之間逐漸過渡，并且沉積膜內(nèi)應(yīng)力較小
5、配備掩模系統(tǒng)，將實現(xiàn)在薄膜上形成獨特的沉積圖案
6、通過使用FBBEAR控制軟件使過程自動化，實現(xiàn)了精確控制和高穩(wěn)定性。FBBEAR控制軟件提供完整的數(shù)據(jù)記錄、精確的參數(shù)調(diào)整，使用戶操作簡單，實驗重復(fù)性可靠
應(yīng)用：
IBSD可生長的薄膜材料包括：自旋閥/AMR/GMR材料、磁隧道結(jié)、介質(zhì)干涉涂層、高k材料、形狀記憶合金、超導(dǎo)材料等。