MBE是以真空蒸鍍的方式進行磊晶，蒸發(fā)的分子以極高的熱速率，直線前進到磊晶基板之上，以快門阻隔的方式，控制蒸發(fā)分子束，獲得超陡界面。MBE的成長過程有反射高能量電子繞射振蕩現(xiàn)象，使其具有在磊晶成長時監(jiān)控磊晶層成長厚度的能力，其控制精確度，可以達到單原子層，因此可以輕易地成長超結(jié)晶格子結(jié)構(gòu)。
生長一層薄薄的磊晶在半導(dǎo)體基板上，是半導(dǎo)體制程中一項很基本、也很重要的技術(shù)。但要磊晶層長得好，且能將其厚度及成分控制得恰到好處，就不是一件容易的事。在各種磊晶技術(shù)當(dāng)中能夠完全達到上述要求的，大概就只有分子束磊晶（molecular beam epitaxy，簡稱MBE）了。
分子束磊晶可說是近年來在半導(dǎo)體制程技術(shù)當(dāng)中最重要的一項發(fā)展，它是在1970年代初期，由貝爾實驗室的John Arthor及華裔的卓以和博士共同發(fā)展出來的。
上圖為鎧柏科技董事長與MBE之父卓以和在展會現(xiàn)場
這項技術(shù)拋棄了傳統(tǒng)熱平衡方式的磊晶成長，而采用真空蒸鍍的方式。分子束磊晶的成長系統(tǒng)和成長方式可由附圖顯示。首先將待成長的芯片放置在一個超高真空（~10-10mmHg）的小室（chamber）中，所需成長的材料則放在小室一端的小爐子當(dāng)中。當(dāng)爐溫升至一定高度時，爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發(fā)出來，此時基板也被加熱至一適當(dāng)?shù)臏囟?。?dāng)分子束射至基板時，就會與基板表面的原子結(jié)合而形成磊晶。磊晶成長的速率完全由單位時間內(nèi)射到基板表面的分子數(shù)目決定，這可以很容易的由裝置成長材料爐子的爐溫所控制，一般成長的速率約為一秒鐘成長0.1層至3層原子。由于速度慢，所以可以很精確的控制磊晶層的厚度。每個爐子的前端有一扇門，門的開關(guān)決定了磊晶層的起始點和終止點，控制這些門的開關(guān)順序就可以得到多層的磊晶結(jié)構(gòu)。
分子束磊晶技術(shù)的發(fā)展將半導(dǎo)體元件帶入一個嶄新的領(lǐng)域。過去元件的大小用微米（10-6m）計算，以分子束磊晶技術(shù)所作出來的元件大小則可用埃（10-10m）來計算，我們甚至可以準(zhǔn)確到用原子的層數(shù)來計算磊晶的厚度。當(dāng)這些磊晶層薄到約100?時，傳統(tǒng)分析電子運動的方式已不再適用，而必須考慮到量子效應(yīng)。許多在傳統(tǒng)元件中無法表現(xiàn)出來的特性，此時都表現(xiàn)出來。如今利用這些量子效應(yīng)所制作的元件，有許多已經(jīng)優(yōu)于傳統(tǒng)的元件。例如量子井雷射，它的起振電流和量子效率均比傳統(tǒng)的半導(dǎo)體雷射強許多；又如共振穿透元件，它所具備的負電阻效應(yīng)是純粹電子運動量子化后的結(jié)果，更是一般傳統(tǒng)元件無法作到的。
分子束磊晶技術(shù)帶給我們的不僅是最新的磊晶技術(shù)，更是半導(dǎo)體元件的一項革命。它帶領(lǐng)我們進入量子元件的世界，對今后半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的影響將是無比深遠的。
我們產(chǎn)品的主要特點：
1、可以生長小樣品及最大6”樣品，4軸樣品操縱臺（XYZ和旋轉(zhuǎn)）以及專利的5軸(XYZ,Rotation and Tilt)。
2、SiC以及 PBN鎢絲等等的加熱元件，溫度可以加到900攝氏度，如果是兩寸以下的樣品可以到1100攝氏度。
3、腔體用SUS316不銹鋼制作（至少18%鉻和8%鎳），這種材料摻雜了鉬，極大地減少了碳化鉻的形成，使其更耐氧化。該腔室還完全被冷屏所包圍，以減少冷凝水和烴類對外延沉積的污染。冷屏還可以熱隔離每個束源爐，從而減少蒸發(fā)源之間交叉污染的可能性。
4、真空可到1×10-10torr，使用泵有浦發(fā)700分子泵與冷泵。內(nèi)部有全罩式液氮冷屏，可提供非常大的抽氣效率。壓力控制系統(tǒng)：上游和下游。
5、可以裝置10個束源爐，最大容量40cc。
6、可配備晶振、束流監(jiān)控器、高能電子槍以及監(jiān)控軟件。
7、標(biāo)準(zhǔn)RHEED系統(tǒng)（實時外延監(jiān)測）。
8、可配備固體源、氣體源/ ALD閥、等離子增強型束源爐（plasma cell）及我們特制的電子回旋共振束源爐(ECR plasma cell)?？裳b電子束源E-beam。
9、可配備含有Z向運動的掩模系統(tǒng)。
10、FBBEAR控制軟件使工藝過程自動控制，實現(xiàn)了精確控制和高穩(wěn)定性。FBBEAR控制軟件提供完整的數(shù)據(jù)記錄、精確的參數(shù)調(diào)整，使用戶操作簡單，實驗重復(fù)性可靠。
優(yōu)勢：
1、進樣室可裝置離子源清潔襯底表面，無氧化物層
2、外延層（原子層）沉積
3、保證沉積薄膜的均勻性和純度
4、原位沉積金屬種子、半導(dǎo)體材料和摻雜劑
5、精確控制的熱蒸發(fā)
6、RHEED系統(tǒng)原位監(jiān)測生長情況
應(yīng)用：
可長二維材料以及拓撲材料、氧化物方面都有很好的性能。如：III-V 族, II-VI 族, Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物（因為我們有獨步全球的激光加熱器，可到2英寸），以及GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等。