脈沖激光沉積（PLD）是一種真空鍍膜技術(shù)。由于使用這種方法，能量源位于腔室外部，因此可以使用超高真空（UHV）或是富含工作氣體的環(huán)境。結(jié)合靶和反應(yīng)氣體之間的化學(xué)反應(yīng)，這可以沉積各種不同的材料，例如高溫超導(dǎo)體，氧化物，氮化物，碳化物，半導(dǎo)體，金屬甚至聚合物或富勒烯都可以高沉積速率生長。 PLD工藝的脈沖性質(zhì)甚至允許制備復(fù)雜的聚合物-金屬化合物和多層。在真空中，源于高能粒子沉積的注入和混合效應(yīng)導(dǎo)致形成亞穩(wěn)態(tài)相，例如納米晶高度過飽和的固溶體和非晶態(tài)合金。在惰性氣體氣氛中進(jìn)行制備，甚至可以通過改變沉積顆粒的動能來調(diào)節(jié)薄膜的性能（應(yīng)力，織構(gòu)，反射率，磁性等）。所有這些使PLD成為用于生長高質(zhì)量薄膜的另一種沉積技術(shù)。
使用脈沖激光沉積（PLD），通過一個或多個被聚焦脈沖激光束照射的目標(biāo)來制備薄膜。PLD每脈沖約0.1 nm的高沉積速率，這種沉積技術(shù)已廣泛用于各種氧化物，氮化物或碳化物，還用于制備金屬體系，甚至聚合物或富勒烯。典型的實(shí)驗(yàn)裝置PLD的典型裝置。在超高真空（UHV）室中，脈沖或聚焦激光束以45°角撞擊基本或合金靶。從靶材燒蝕的原子和離子沉積在基板上。通常，基板與目標(biāo)表面平行的表面與目標(biāo)之間的距離通常為2-10 cm。在我們的案例中，UHV約為10-9 mbar，準(zhǔn)分子激光具有KrF輻射（波長248 nm，脈沖持續(xù)時間30 ns），目標(biāo)到襯底的距離為3使用–7厘米。為了從目標(biāo)獲得穩(wěn)定的燒蝕率。通過調(diào)整每個目標(biāo)上的激光脈沖數(shù)量，可以創(chuàng)建具有所需單層和雙層厚度的多層。應(yīng)用了兩種生長合金體系的方法，即使用大塊合金靶或成分的基本靶。在后一種情況下，假定每個靶上的脈沖數(shù)足夠低，成長的厚度小于一個單原子層。
我們產(chǎn)品的主要特點(diǎn)：
1、PLD-12L 與PLD-18L裝有激光加熱系統(tǒng)，這是特別適合富氧或富氮?dú)夥盏耐昝兰訜崞?。它提供了一種高度局部的加熱機(jī)制，可以容易地將襯底加熱到1200℃，從而使附近的部件保持在低溫以避免由于除氣而造成襯底污染。
2、腔體緊湊，抽氣速度快。
3、PLD-18L可安裝行星靶材料安裝架，標(biāo)準(zhǔn)可安裝六個，最多可安裝八個一英寸靶材或是四個兩英寸靶材。靶材操縱可旋轉(zhuǎn)及自轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)，以選擇不同的靶材材料，自轉(zhuǎn)可提高薄膜沉積靶材材料的使用效率。PLD-18L可以裝置激光掃描鏡頭，可以實(shí)現(xiàn)大面積樣品的生長?？梢约嫒輧芍淮趴貫R射靶或四支束源爐。PLD-18L的擴(kuò)充性強(qiáng)大，可以裝4只束源爐或是等離子體源/電子束蒸發(fā)源，靶臺可裝8個1寸靶或者4個2寸靶。也有空間可以安裝橢偏儀。
4、可配反射高能電子衍射（High Pressure RHEED）。
5、可加裝橢偏儀，及實(shí)時監(jiān)控。
6、特殊的激光視窗保護(hù)機(jī)構(gòu)可保護(hù)視窗，且價格合理。
7、可使用mask生長出獨(dú)特的薄膜圖案。
8、FBBEAR控制軟件使過程自動化，實(shí)現(xiàn)了精確控制和高穩(wěn)定性。9、FBBEAR控制軟件提供完整的數(shù)據(jù)記錄、精確的參數(shù)調(diào)整，使用戶操作簡單，實(shí)驗(yàn)重復(fù)性可靠。
應(yīng)用：
可沉積異質(zhì)結(jié)金屬氧化物(如Fe/SrTiO3、Nb/SrTiO3、BiFeO3等)、高溫超導(dǎo)材料、硅氧化物、高k氧化物、金屬氮化物、鐵電材料等。