PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)
脈沖激光沉積（PLD）是用于薄膜沉積的通用工藝，其主要優(yōu)點是將材料幾乎是相等的從靶轉(zhuǎn)移到基板。PLD設(shè)備所制成的膜可輕松獲取新材料，特別適用于復(fù)雜氧化層以及多層結(jié)構(gòu)的氧化薄膜。
PLD的原理是將脈沖激光透過合成石英窗導(dǎo)入真空腔內(nèi)照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume狀等離子體狀態(tài)，然后被堆積到設(shè)在對面的基板上而成膜。鎧柏科技PLD-12L系統(tǒng)擁有最好的性能價比,具體技術(shù)參數(shù)配置:1.靶: 數(shù)量6個，大小1英寸，可自動旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過步進(jìn)電機(jī)控制;可以配備激光掃描儀2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境激光加熱器，大小10X10mm，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境最大壓力不限;我們最大有10ATM的經(jīng)驗3.基板加熱最高到1200度;4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-9 torr;5.樣品搬運室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-7 torr;6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;7.氣路兩套: 采用氣體流量計控制;8.薄膜生長監(jiān)控系統(tǒng): 采用High Pressure RHEED;9.監(jiān)控軟件系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;
我們的PLD系統(tǒng)共分兩型，PLD-12L與PLD-18L，L代表激光加熱。大家都知道PLD最適合長氧化物與多元薄膜。在氧化物生長的時候要通入大量的氧氣，而氧氣會造成一般加熱器的損傷甚至斷掉。而我們的激光加熱器沒有這個缺點，可以在高氧壓甚至臭氧下工作。最高工作溫度可達(dá)1000攝氏度以上。PLD-12L的優(yōu)點是腔體小，速度快，可以兼容兩只磁控濺射靶或束源爐，可使用mask。PLD-18L的擴(kuò)充性強(qiáng)大，可以裝4只束源爐或是 plasma cell，靶材臺可裝6個1寸靶或者3個2寸靶。兩種系統(tǒng)均可裝配高氣壓高能電子槍（High Pressure RHEED)。PLD-18可加裝橢圓儀，及時監(jiān)控。特殊的激光視窗保護(hù)機(jī)構(gòu)可保護(hù)視窗，且價格合理。
可沉積材料如：Heterostructure metal oxides (e.g. Fe/SrTiO3, Nb/SrTiO3, BiFeO3, etc), high temperature superconducting materials, silicon oxides, high k oxides, metal nitrides, ferroelectric materials, etc.