磁控濺射是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜。
我們產(chǎn)品的主要特點：
1、定制型SS316L電拋光室，腔室緊湊體積小
2、5E-10 Torr 本底真空壓力，抽氣速度快
3、2”襯底尺寸，4軸樣品操縱臺（XYZ和旋轉(zhuǎn)）
4、SiC（或PBN）加熱元件，樣品加熱溫度可達：900°C
5、3×2英寸磁控濺射陰極（共焦或平行）
6、直流、射頻或脈沖直流電源，標準材料與磁性材料均可使用
7、厚度監(jiān)測器
8、壓力控制系統(tǒng)：上游
9、烘烤時可把磁鐵拆下以保護磁鐵不退磁
10、客戶可選擇RHEED，在磁鐵拆下時可檢測樣品薄膜的質(zhì)量
11、FBBeam系統(tǒng)控制軟件
12、與激光加熱器聯(lián)用可變?yōu)榉磻?yīng)型磁控濺射，可成長氧化物薄膜與氮化物薄膜等。正下方可安裝一只離子源，用于樣品清洗與輔助鍍膜
可選項：
1、直接濺射系統(tǒng)
2、平行濺射系統(tǒng)
3、DC/RF襯底偏壓
4、離子束輔助沉積
5、離子束清潔/刻蝕
6、高壓RHEED系統(tǒng)（實時外延監(jiān)測）
7、帶有Z運動的掩模系統(tǒng)
8、樣品室預(yù)退火加熱系統(tǒng)
9、樣品室的襯底存儲機制
10、腔室可定制
應(yīng)用：
濺射可沉積的材料飯括：金屬（Si、Cr、Al、Ag、穆村、鈦、金、等）、二氧化硅、磁性金屬（鐵、Co、Ni），金屬氧化物（ITO、IZO，偶氮，等）。